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MIT、台积电等合作以铋替硅突破1纳米制程

放大 缩小

2021年5月12日,由麻省理工学院(MIT)、台湾积体电路制造公司(TSMC)和台大组成的跨国团队在《Nature》发表题为“Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors”的研究论文。

该文报道了半金属铋与半导体单层过渡金属硫化合物(TMDs)之间的欧姆接触,其中MIGS被充分抑制,TMD中的简并态与铋接触形成。通过这种方法,团队在单层MoS2上实现了零肖特基势垒高度,接触电阻为123欧姆微米,通态电流密度为1135微安/微米。就团队所知,这两个值分别是尚未记录的最低和最高值。团队还证明了可以在包括MoS2、WS2和WSe2在内的各种单层半导体上形成出色的欧姆接触。


信息来源:

https://www.nature.com/articles/s41586-021-03472-9

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